离子注入
演示实验室和Foundry
IBS 是满足您离子注入需求的理想合作伙伴。
无论是生产还是研发，IBS 都能提供满足所有客户需求的解决方案。
创新的离子注入技术
一个对离子注入有着深切需求的崭新世界
- 最高 600 °C 的 SiC 掺杂
- 3D 保形掺杂
- 表面处理（从平面到 3D）
接触广泛的工作领域
IBS 是领先的离子注入服务提供商
适用于大多数类型和尺寸的晶圆，从超低能量到高剂量
（样品至12英寸）
涵盖多种元素
IBS晶圆厂之间相互支持
切勿中断种植体供应
位于法国和英国的两处IBS设施在IBS内部相互提供备份支持。
全球唯一一家从事等离子体浸没式离子注入的铸造厂
等离子体浸没式离子注入
- 整片晶圆同步掺杂
- 符合性3D掺杂
- 超低能量（低至30 eV），无能量污染风险
- 热掺杂
凭借位于法国和英国的两家生产基地，IBS 提供世界一流的离子注入及全工艺制造生产线服务。
IBS 可处理从样品到直径 12 英寸的基板等不同规模的生产订单，并可定制各种形状、厚度和材料。
光束线掺杂服务
生产：
标准工艺：无晶圆厂模式、无需离子注入机，或无需巨额资本支出即可获得额外产能
备用方案：设备故障、临时产能补充、晶圆尺寸升级……
研发离子注入：
特定工艺：产品开发、测试与评估
各种基板、形状
特殊材料
加热/冷却、各种角度……
碳化硅（SiC）离子注入：
室温至+600 °C的离子注入
从样品到6英寸晶圆
Si、B、Al、N、C、P等
5至400 keV
特定的SiC离子注入模拟
Plasma Immersion Ion Implant services (PIII)
PULSION®
可用种类：
• 掺杂：AsH3、PH3、BF3、B2H6
• 材料改性：Ar、H2、He、CH4、SiH4、SiF4、Al、CF4、C2H2…
晶圆尺寸：从样品到300毫米
中等至高剂量
极低至中等加速电压：50 V – 20 kV
适用于3D结构的符合性掺杂
PIII与激光退火组合：
退火（及扩散）深度可实现极高精度控制
室温掺杂
晶圆完整性
结深范围：10 nm 至 15 nm
应用：背面掺杂、功率器件
工作范围
剂量 / 能量
晶圆类型
IBS 可处理从样品到 12 英寸的各种类型晶圆
- Si
- Si thin wafers / Taiko wafers
- SiC
- GaN
- InP / GaAs
- InSb
- HgCdTe
- LiNbO3
- Sapphire / Diamond / Quartz
量身定制的离子注入机
申请演示
在集成之前，亲身体验IBS技术的精准性。
我们邀客户前往位于法国佩尼耶的先进演示中心，验证其具体的掺杂要求。我们的专家将与您的研发团队紧密合作，使用您提供的晶圆进行工艺评估。
概念验证：测试新的离子种类或剂量配方。
保密性：对专有设计和材料进行安全处理。
全面表征：可使用现场计量设备（SIMS、SRP、Metripol）立即分析结果。
预约演示
交钥匙服务
IBS 为您提供其专业技能和专业知识，助您开发自己的组件
- 使用SILVACO软件进行工艺仿真
- 工艺集成
- 电气仿真
- 光罩设计
凭借其生产线，IBS 可根据您的要求生产零部件。我们的晶圆厂采用兼容 2 英寸至 6 英寸晶圆的系统进行生产。
得益于CIMPACA的功能，IBS能够提供一套完整的工具，用于执行以下任务：
在线表征：
- 机械轮廓仪
- 光学厚度测量
- 面电阻 + IBS测试仪
物理及缺陷分析：
- D-SIMS 与 ToF-SIMS
- 微奥格电子能谱与 XPS
- 双束 FIB 与 TEM
- 红外热成像
- 激光去封装
离线表征：
- 层厚与形貌
- 光学三维轮廓仪
- 微拉曼
- Veeco 原子力显微镜
- SEM
从单道工序到成品
- 薄膜沉积：PVD（溅射）、PECVD
- 热氧化与扩散
- RTA退火
- 湿法（化学）与干法（RIE）刻蚀
- 光刻