碳化硅（SiC）正在彻底改变电力电子行业，特别是在电动汽车（EV）和可再生能源领域。IBS 处于碳化硅加工领域的最前沿，为高性能功率器件提供专业解决方案。
我们的H-Cut技术利用高剂量氢（质子）掺杂，在半导体材料内部形成精确的裂解面，从而实现先进的“剥离”和减薄工艺。
精密剥离：利用氢离子促进硅或其他材料的超薄层转移到基片上。
基板工程：对于制造绝缘体上硅（SOI）晶圆和工程化基板至关重要。
减少切口损耗：在高价值基板制造过程中最大限度地减少材料浪费。
对于最先进的逻辑和存储器工艺节点（300毫米），IBS 提供了处理复杂架构和微缩尺寸所需的精度。
保形掺杂：利用 PULSION® 等离子体浸没技术，在 FinFET 和垂直纳米线的侧壁上实现均匀掺杂。
超浅结（USJ）：通过极低能量的掺杂，在纳米尺度上形成结，同时避免短沟道效应。
300毫米工艺优势：针对高产量300毫米（12英寸）晶圆厂需求进行优化的全自动化工艺。
氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物半导体对5G、射频通信和光子学至关重要。IBS拥有处理这些敏感材料所需的特定离子束专业技术。
隔离植入：通过高能植入在射频器件中形成隔离区，从而降低寄生电容。
GaN-on-Si / GaN-on-SiC：通过专门的掺杂和材料改性，支持GaN功率市场的增长。
LED与激光工程：通过针对性的离子种类选择，提高光电子器件的效率
尽管全球都在追求更小的工艺节点，“成熟硅片”（150毫米/200毫米）依然是物联网、汽车和工业领域的支柱。
MEMS 与传感器：针对压力传感器、加速度计和微致动器的定制化离子注入。
模拟与功率集成电路：针对 MOSFET、IGBT 和标准模拟器件提供高性价比、高可靠性的掺杂工艺。
灵活性：6 英寸和 8 英寸晶圆生产线的快速周转。
IBS 作为连接学术研究与工业实践的全球桥梁。我们支持各实验室和研发中心探索材料科学的边界。
特殊离子种类：提供超过65种离子（包括稀土元素和惰性气体），用于实验性材料改性。
新材料探索：向聚合物、陶瓷和二维材料（石墨烯）中进行离子注入。
可行性研究：通过小批量加工验证新的掺杂配方，为规模化生产做好准备
在 IBS，我们深知设备运行时间至关重要。我们的全球支持网络致力于提供快速、专业的协助，以确保您的离子束设备保持良好性能。