- Quad implant, autotune up to 10 chained implantations
- From coupons to 200 mm, parallel scanning for 200 mm wafers
- Up to 1.2 MeV
- High efficiency ion sources (Indirect heated Cathode, ECR)
- Up to 8 different implant gases
在较低能量下实现更高剂量，且具有高吞吐量
三维结构的离子注入
材料改性，即利用离子注入进行非掺杂应用（刻蚀选择性、接触改善、图案化、层合成、应变工程等）
热离子注入
种类繁多的离子种类
高度灵活且用途广泛
高生产效率
维护简便
占地面积小
凭借30年的种植体行业经验，IBS是唯一一家既能提供一系列新型种植体器械，又能提供全方位种植体服务的公司。
> 整片晶圆的同步掺杂
> 超低能量（低至 30 eV），无能量污染风险
> 3D 结构的符合性掺杂
> 热掺杂
> 宽工艺范围
IBS PULSION 设备符合 < 10 纳米的要求
在各个方面持续推进非平面高性能多栅极器件的缩放：
栅极间距（EOT）、结、迁移率提升、新型沟道材料、
寄生串联电阻、接触硅化。
• 材料兼容性
• 工艺集成挑战
在集成之前，亲身体验IBS技术的精准性。
我们诚邀客户前往位于法国佩尼耶的先进演示中心，验证其具体的掺杂要求。我们的专家将与您的研发团队紧密合作，使用您提供的晶圆进行工艺评估。
碳化硅（SiC）：体积更小、速度更快、性能更稳定，这种材料将在电动汽车、工业电机和电网的转换器中取代硅。
制造碳化硅元件需要专用离子注入设备。
数据通信、电信系统和安全领域对光电子器件和射频放大器等化合物半导体的需求日益增长。由于存在材料和污染
方面的顾虑，生产线必须使用专用设备进行操作。