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离子束服务新闻与新闻稿

SiC元件的铝掺杂

IBS 通过成功开发一款专用于实现高达 600KeV 铝离子注入的专用源,进一步巩固了其作为行业专家的地位。
这一突破为客户开辟了新的前景,特别是在碳化硅(SiC)应用领域,可满足其量产或研发项目中对晶圆离子注入的需求。
该技术支持 4 英寸和 6 英寸晶圆的自动模式操作,并可与高温掺杂(最高 600°C)相结合。

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